隨著半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展以及LED技術(shù)及產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，支撐LED光電器件的核心材料氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
半導(dǎo)體照明是第三代半導(dǎo)體技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的第一個(gè)突破口，如今LED發(fā)光技術(shù)的進(jìn)步現(xiàn)已突破傳統(tǒng)的照明概念，并已開(kāi)拓、發(fā)展LED發(fā)光新技術(shù)領(lǐng)域。沿長(zhǎng)波方向，已從藍(lán)光拓寬到綠光、黃光、紅光，發(fā)展“超越照明”，開(kāi)拓在生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、保健、航空、航天和通信等領(lǐng)域應(yīng)用;沿短波方向，現(xiàn)已發(fā)展高效節(jié)能、環(huán)境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代電真空紫外光源，引領(lǐng)紫外技術(shù)的變革，開(kāi)拓紫光應(yīng)用廣闊領(lǐng)域。
有數(shù)據(jù)顯示，紫外線LED應(yīng)用于光固化市場(chǎng)產(chǎn)值2021年將達(dá)1.95億美元， 2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來(lái)到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應(yīng)用的市場(chǎng)產(chǎn)值2021年將達(dá)2.57億美元。應(yīng)用的發(fā)展離不開(kāi)技術(shù)的支撐，第三代半導(dǎo)體又將如何擁抱固態(tài)紫外市場(chǎng)？
2016年11月15日至17日，第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2016）將在北京國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)，并將與2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇（以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”）同期同地舉行。此次跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)，由中國(guó)科技部與北京市人民政府主辦，將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點(diǎn)領(lǐng)域。其中，大會(huì)圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。
為了360度全方位保證分會(huì)的高水準(zhǔn)，分會(huì)采用召集人+主席+分會(huì)團(tuán)的模式，兼顧產(chǎn)學(xué)研，每一環(huán)節(jié)都有超強(qiáng)專家的鼎力支持。目前第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件分會(huì)陣型漸露，看點(diǎn)十足。
分會(huì)召集人由中科院蘇州納米所研究員、博士生導(dǎo)師、納米測(cè)試中心主任，蘇州納維科技有限公司董事長(zhǎng)，中組部國(guó)家千人計(jì)劃、國(guó)家杰出青年基金獲得者徐科和中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻擔(dān)任。
徐科長(zhǎng)期圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)及相關(guān)生長(zhǎng)裝備和測(cè)試分析儀器的研究與研發(fā)。對(duì)氮化物半導(dǎo)體的MOCVD和MBE生長(zhǎng)機(jī)理、氮化物的極性選擇、極性控制有系統(tǒng)深入研究，闡明了極性對(duì)氮化銦(InN)生長(zhǎng)的特殊影響；近年來(lái)重點(diǎn)開(kāi)展極低位錯(cuò)密度GaN和AlN單晶材料的氫化物氣相外延(HVPE)生長(zhǎng)研究，完成2～4英寸氮化鎵單晶襯底技術(shù)開(kāi)發(fā)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；開(kāi)展了納米尺度空間分辨的綜合光電測(cè)試技術(shù)與裝備研制，研究了氮化物材料中單個(gè)缺陷并探索氮化物低維結(jié)構(gòu)的新奇物性。發(fā)表SCI論文80余篇，申請(qǐng)專利50項(xiàng)，國(guó)際會(huì)議特邀報(bào)告20余次。現(xiàn)任科技部新材料領(lǐng)域納米主題專家，國(guó)家納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)委員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員、電子材料分會(huì)副主任委員，光學(xué)學(xué)會(huì)光學(xué)材料委員會(huì)委員。
張韻曾在美國(guó)高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門(mén)從事研發(fā)工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。2006年至2010年，參與完成與美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）在深紫外光電探測(cè)器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見(jiàn)光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時(shí)，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。
分會(huì)外方主席由美國(guó)佐治亞理工學(xué)院教授Russell Dupuis擔(dān)任，他于1977年開(kāi)發(fā)并完善了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）過(guò)程，使高亮度LED實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)，并且為現(xiàn)在高亮度LED、激光二極管、太陽(yáng)能電池、高速光電設(shè)備的生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。由于其LED行業(yè)的杰出貢獻(xiàn)，他于2015年被美國(guó)國(guó)家工程院授予查爾斯·斯塔克·德雷珀獎(jiǎng)。
除了重量級(jí)的分會(huì)外方主席與召集人，分會(huì)力邀多位國(guó)內(nèi)外的權(quán)威專家組成分會(huì)委員團(tuán)，共同坐鎮(zhèn)，為分會(huì)提供最堅(jiān)實(shí)的支持。
其中，分會(huì)成員劉國(guó)旭，易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁，首席技術(shù)官，國(guó)家千人計(jì)劃創(chuàng)新類(lèi)人才。劉國(guó)旭曾先后就職于美國(guó)通用汽車(chē)電子部， 英特爾， 朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell Lab）， 北方電訊（Nortel），Luminus等多家國(guó)際知名企業(yè)，擔(dān)任技術(shù)總監(jiān)等職務(wù)，2009年回國(guó)聯(lián)合創(chuàng)立了易美芯光。劉國(guó)旭在封裝設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、系統(tǒng)集成及可靠性分析具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，參與并主持了多項(xiàng)具有重大影響的研發(fā)項(xiàng)目，多次受邀在知名的國(guó)際會(huì)議上發(fā)表演講，曾獲得權(quán)威學(xué)術(shù)會(huì)議優(yōu)秀論文獎(jiǎng)。他同時(shí)是國(guó)家科技部“863計(jì)劃”半導(dǎo)體照明工程專家組成員，在國(guó)際知名雜志及學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過(guò)40余篇專業(yè)論文, 并擁有30余項(xiàng)美國(guó)及中國(guó)專利。
分會(huì)委員陸海，南京大學(xué)教授，兼任南京微結(jié)構(gòu)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（籌）主任研究員（PI），他師從美國(guó)工程院院士Lester Eastman教授，曾受聘于美國(guó)通用電氣公司（GE）研發(fā)中心任高級(jí)研究員。陸海主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究，獲得多項(xiàng)有影響力的成果。近年來(lái)重點(diǎn)開(kāi)展GaN基高功率電子器件、深紫外探測(cè)器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文兩百余篇，其中包括SCI論文180余篇。2007年入選教育部新世紀(jì)人才支持計(jì)劃；2008年獲得國(guó)家杰出青年科學(xué)基金資助；2012年入選教育部長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授。
本次分會(huì)邀請(qǐng)?jiān)O(shè)置了眾多精彩報(bào)告，其中，分會(huì)外方主席、美國(guó)佐治亞理工學(xué)院教授Russell Dupuis，分會(huì)委員、南京大學(xué)教授陸海將聯(lián)袂眾多專家做特邀報(bào)告，全方位分享固態(tài)紫外器件方方面面的研究成果。
中科院半導(dǎo)體所研究員，博士生導(dǎo)師王軍喜將帶來(lái)與固態(tài)紫外器件相關(guān)的研究成果分享，王軍喜主要研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體照明氮化鎵外延芯片材料生長(zhǎng)研究及新型LED器件應(yīng)用研究。在國(guó)內(nèi)外高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表研究論文百余篇。在固態(tài)紫外器件領(lǐng)域，他及團(tuán)隊(duì)有著多年的研究積累，
臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中將帶來(lái)其最新成果，郭浩中在在III-V光學(xué)設(shè)備/材料（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵）有超過(guò)20年的研究經(jīng)驗(yàn)。他發(fā)表過(guò)論文300余篇（6611總引用和38的H因子）。他曾擔(dān)任2015年美國(guó)電子電氣工程師協(xié)會(huì)(IEEE)會(huì)士，2012年美國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)(OSA)會(huì)士，2013年國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)院士，2012年英國(guó)工程技術(shù)學(xué)會(huì)(IET)會(huì)士。
同時(shí)，北京大學(xué)教授王新強(qiáng)、青島杰生電氣有限公司技術(shù)總監(jiān)武帥等眾多來(lái)自產(chǎn)學(xué)研不同環(huán)節(jié)的精英嘉賓將從不同的角度分享固態(tài)紫外器件的最新研究成果。
第三代半導(dǎo)體材料所具有的獨(dú)特性能，有望在這些領(lǐng)域突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展瓶頸，開(kāi)拓新技術(shù)應(yīng)用, 包括諸如基于第三代半導(dǎo)體材料的LED、LD發(fā)光技術(shù)、功率電子技術(shù)、微波功率技術(shù)、TFT技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和 MEMS與傳感技術(shù)等，技術(shù)發(fā)展大勢(shì)及廣闊的市場(chǎng)空間注定了其重要性和地位。欲把握第三代半導(dǎo)體的發(fā)展大勢(shì)與機(jī)遇，我們11月15日，北京見(jiàn)！
參會(huì)報(bào)名、參會(huì)聯(lián)系人
張女士
T：8610-82387380
M：13681329411
E：zhangww@china-led.net
賈先生
T：8610-82387430
M：18310277858
E：jiaxl@china-led.net
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